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FD-SOI技术半导体业下一个驱动成长新动能?|新葡萄官网平台

时间:2024-05-09    来源:新葡萄官网平台    人气:

本文摘要:据海外媒体报道,全球半导体业界朝物联网(IoT)等新兴领域拓展商机,惟这些新领域对芯片的市场需求是期望可约低成本及高功耗水准,为此业界目前找到利用仅有空乏绝缘上覆矽(FullyDepletedSilicon-on-Insulator;FD-SOI)制程新技术,可生产开具上述优势的芯片,否借以有助半导体产业寻找新的茁壮契机。

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据海外媒体报道,全球半导体业界朝物联网(IoT)等新兴领域拓展商机,惟这些新领域对芯片的市场需求是期望可约低成本及高功耗水准,为此业界目前找到利用仅有空乏绝缘上覆矽(FullyDepletedSilicon-on-Insulator;FD-SOI)制程新技术,可生产开具上述优势的芯片,否借以有助半导体产业寻找新的茁壮契机。  三星、GlobalFoundries、意法已备FD-SOI制程技术  华尔街日报(WSJ)报导,根据先前调查预测,在不受手机及PC市况衰落影响下,2016年全球芯片销售整体营收有可能衰落2.4%,半导体业界也在找寻下一个驱动茁壮的新动能。  如三星电子(SamsungElectronics)目前已创建自有28纳米FD-SOI生产能力,GlobalFoundries已享有22纳米FD-SOI晶圆生产能力,并证实在RF、数位及混合讯号等功能上具备出色展现出;意法半导体(STMicroelectronics)也已享有28纳米FD-SOI生产能力。

  FD-SOI技术主要倚赖于一家取名为Soitec的法国业者,供应专门打算的半导体晶圆产品,据信FD-SOI技术在效能及功耗展现出上等同于或甚至高于FinFET制程。有感于物联网等新兴产业领域对芯片的市场需求,往往拒绝成本可掌控在1美元以下,如此若采行FD-SOI技术生产芯片,或有符合市场需求的有可能。

  FD-SOI不具备较低生产成本、低功耗优势  FD-SOI制程芯片功耗可较低,主要与使用反偏压(BackBiasing)及临界电压(ThresholdVoltage)技术有关,因而可在芯片产品性能与FinFET制程技术差不多下,建构芯片产品较佳的功耗展现出。  Soitec执行长PaulBoudre回应,Sony近期设计的手机GPS芯片即使用FD-SOI技术生产,该芯片耗电量仅有为此前芯片产品的10%,借以将有助手机用户在需要忧虑电量较慢损耗下,可更加频密用于GPS定位技术。  现阶段半导体业界在力求朝更加较低的微缩制程发展下,反而造成闸成本(Gatecost)上升,即使需要造就整体功耗上升及性能提高。

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例如微缩至28纳米制程以下后,20纳米以下微缩制程的闸成本之后不会渐渐增高,这主要与制程微缩后愈来愈多的填充(Overlay)等因素不会影响良率,因而造成闸成本上升有关。  闸成本主要与产品良率、晶圆成本及芯片尺寸等有关,若制程微缩至5纳米,须要使用近于紫外光微影制程(EUV)时,即使EUV技术可增加填充问题及多重曝光(multiplepatterning)步骤造成的良率上升情况,但不会造成晶圆处置成本上升,闸成本之后不会因而增高。  分析16/14纳米FinFET制程及14纳米FD-SOI制程所需的晶圆成本,表明在两制程生产的芯片尺寸完全相同下,14纳米FD-SOI制程所需闸成本,较16/14纳米FinFET制程低上16.6%;晶圆成本14纳米FD-SOI制程比16/14纳米FinFET制程较少了大约7.3%,这主要与14纳米FD-SOI制程光罩步骤数较较少,让晶圆厂生产FD-SOI晶圆的周期削减有关。

  FD-SOI技术或享有微缩至7纳米潜力  值得注意的是,法国研究机构CEA-Leti曾分析将FD-SOI制程微缩至7纳米的创造力,一旦可微缩至7纳米,FD-SOI芯片产品的生命周期或平均逾30年水准,有助引入物联网等对超强低功耗芯片市场需求的产业领域。  另外,目前部分业者也开始在不生产更加小的电晶体下,意欲更进一步研发芯片更大的性能,如NANDFlash制造商开始利用3DNAND技术填充更加多层电路,借此提高芯片性能。  在此情况下将必需投放有所不同半导体设备的购买,如此之后有助半导体设备供应商建构潜在市场需求商机。

国际半导体产业协会(SEMI)预测,随着部分技术趋势发展加快,以及半导体业者持续角逐微缩芯片电路下,2017年全球半导体设备开支将茁壮11%。


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